| 型号：NSBC143EDXV6T1G | 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 | 制造商：ON Semiconductor |
| 封装：SOT-563，SOT-666 | 描述：TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 | |
详细参数
| 类别 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
|---|---|
| 描述 | TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 |
| 系列 | - |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流_集电极（Ic）111最大222 | 100mA |
| 电压_集电极发射极击穿111最大222 | 50V |
| 电阻器_基极（R1）111欧222 | 4.7k |
| 电阻器_发射极（R2）111欧222 | 4.7k |
| 在某IceeeVce时的最小直流电流增益（hFE） | 15 @ 5mA，10V |
| IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 250mV @ 1mA，10mA |
| 电流_集电极截止111最大222 | 500nA |
| 频率_转换 | - |
| 功率_最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市汇景欣电子有限公司 | 黎小姐0755-23051326 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
| 深圳市科翼源电子有限公司 | 朱小姐13510998172 |
| 深圳市世品佳电子有限公司 | 销售部0755-/83218466/83200833 |
| 深圳市壹芯创科技有限公司 | 朱先生0755-82780082 |
| 深圳山琅电子科技有限公司 | 刘红样086-755-83229865 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
NSBC143EDXV6T1G相关型号
- NOJB226M010RWB
氧化铌
AVX Corporation
1210（3528 公制）
CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210
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晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
ON Semiconductor
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2917（7343 公制）
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氧化铌
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- HMK432B7225KM-T
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1812（4532 公制）
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2312（6032 公制）
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TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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- MIC2199YML TR
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1812（4532 公制）
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- NOJP225M010RWJ
氧化铌
AVX Corporation
0805（2012 公制）
CAP NIOB OXIDE 2.2UF 10V 0805
- MIC2199YML TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
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12-VFDFN 裸焊盘，12-MLF?
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1812（4532 公制）
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2312（6032 公制）
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- MGA-81563-BLKG
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6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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- NOJS106M004RWJ
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- NP5-MQ000
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TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS SILVER
- NSBC143ZDXV6T1G
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
ON Semiconductor
SOT-563，SOT-666
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
- HMM03DRXN
Card Edge, Edgeboard Connectors
Sullins Connector Solutions
1812（4532 公制）
CONN EDGECARD 6POS DIP .156 SLD
- NOJC686M006RWJ
氧化铌
AVX Corporation
2312（6032 公制）
CAP NIOB OXIDE 68UF 6.3V 2312
